消息称三星、SK 海力士 HBM3E 内存明年涨价近 20%,需求不降反增
最新 12 月 24 日消息,据《朝鲜日报》今日报道,三星电子、SK 海力士等存储供应商已上调明年 HBM3E 价格,涨幅接近 20%。

报道援引行业消息称,三星电子和 SK 海力士等内存半导体企业将 HBM3E 的供应价格提高了近 20%。考虑到通常在新一代 HBM 发布前价格会下调,这一涨幅被认为是异常情况。有观点认为,这是英伟达、谷歌、亚马逊等 AI 加速器企业上调明年 HBM3E 订单量所导致的。
半导体行业人士表示:“今年 HBM3E 已成为 HBM 市场的主力产品,但预计明年 HBM4 市场兴起时,价格会略有下降。然而,除英伟达外,其他全球大型科技企业也将于明年推出搭载 HBM3E 的 AI 加速器,因此对 HBM3E 的需求仍持续增长。从内存半导体企业的角度来看,无法放弃扩大 HBM4 生产能力,因此在供应无法跟上需求的情况下,出现了约 20% 的价格溢价。”
报道提到,随着三星电子和 SK 海力士等公司重点推进下一代产品 HBM4 的生产,HBM3E 即将供不应求。有证券研究员表示,“预计明年 HBM 市场的营收比例将为 HBM4 占 55%,HBM3E 占 45%。并且,从明年第三季度开始,HBM4 将迅速吸收 HBM3E 的需求。”
随着 HBM 需求的激增,DRAM 等主打产品价格的上涨趋势也持续,这使得三星电子和 SK 海力士明年业绩的预期也随之提高。
据金融信息公司 FNGuide 报道,三星电子明年全年营业利润预期从一个月前的 76.6544 万亿韩元上调至 85.4387 万亿韩元(最新注:现汇率约合 4060.05 亿元人民币),SK 海力士的营业利润则从同期的 71.4037 万亿韩元上调至 76.1434 万亿韩元(现汇率约合 3618.33 亿元人民币)。
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