最新 12 月 1 日消息，据韩媒 The Elec 上周（11 月 27 日）报道，三星电子将在明年 2 月举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示 HBM4。

据报道，三星这次计划展示的 HBM4 容量为 36GB、带宽 3.3TB/s，相比上个月展出的 36GB、24TB/s 的 HBM4 在带宽上得到进一步提升，三星还通过堆叠结构与重新设计接口提升了速度和能效。

一位行业人士解释道：“三星在每个通道上应用了硅通孔（TSV）路径的对准信号（TDQS）自动校准技术，从而提高高速区间的信号准确度，针对 AI 大模型等高流量场景进行了优化”。

值得注意的是，三星的对手 SK 海力士也将在明年 2 月公开下一代存储技术，有望一并展示单 Pin 速率达 14.4Gb/s 的 LPDDR6 内存，配备基于低压差稳压器（最新注：LDO）的 WCK 时钟分配架构，可在超高速的情况下保持信号稳定，相比上一代 LPDDR5X 提升更高。

此外，SK 海力士还将公开展示 GDDR7 显存，单 Pin 速度最高可达 48Gb/s，容量 24Gb，最大的特点就是可以将通道分成两部分，可同时进行读写操作，面向 GPU、AI 边缘推理、高分辨率游戏等场景。

作为参考，ISSCC 2026 将在明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美国旧金山举行，其中的参会者大部分是企业研究人员，因此预计会有大量接近量产的新技术会在大会上首次亮相。